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在半導(dǎo)體制造、光學(xué)薄膜研發(fā)及精密涂層檢測(cè)等領(lǐng)域，薄膜厚度與光學(xué)參數(shù)的精準(zhǔn)測(cè)量是保障產(chǎn)品質(zhì)量與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。Thetametrisis薄膜厚度測(cè)量?jī)x（如FR-Scanner系列）憑借其高度集成的光學(xué)模塊設(shè)計(jì)，成為這一領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備——其光學(xué)...
隔振臺(tái)采用了剛性彈簧和負(fù)剛度機(jī)制，達(dá)到極低凈垂向剛度，而凈符合支持能力則未受到絲毫影響。水平振動(dòng)阻隔效果由梁柱與垂直運(yùn)動(dòng)隔離器串聯(lián)實(shí)現(xiàn)。只要調(diào)整至1/2Hz固定頻率，該工作站就能實(shí)現(xiàn)2Hz下93%的阻隔效率，5Hz下99%的阻隔效率和10Hz下99.7%的阻隔效率。MinusK垂直隔離器，附帶KineticSystem動(dòng)力系統(tǒng)，更為您帶來(lái)更好的使用體驗(yàn)和額外的底架空間。隔振臺(tái)主要優(yōu)勢(shì)：1、小的厚度，輕的質(zhì)量；2、大大提高設(shè)備性能及質(zhì)量；3、易于集成到工作站中；4、沒(méi)有調(diào)試要求...
光刻技術(shù)實(shí)際上是一種精密表面加工技術(shù)，它借助于一定波長(zhǎng)的激光光源以及選擇性的化學(xué)腐蝕和刻蝕技術(shù)把設(shè)計(jì)的微納圖案轉(zhuǎn)移到硅基板上。但是隨著集成電路功能和密度的提升傳統(tǒng)的光刻技術(shù)已經(jīng)難以滿(mǎn)足當(dāng)前對(duì)線寬越來(lái)越小的需求。但是打破衍射極限的大型光刻設(shè)備又極其昂貴。為了擺脫光學(xué)衍射極限和克服高成本的限制，一種操作簡(jiǎn)單，成本低廉的納米壓印技術(shù)產(chǎn)生了。納米壓印的技術(shù)核心是充分利用機(jī)械能將剛性模板上的圖案轉(zhuǎn)到抗蝕劑上，之后再借助溶脫、剝離、刻蝕等將圖案轉(zhuǎn)移到基板上。到目前為止壓印技術(shù)已經(jīng)發(fā)展出來(lái)...
白光干涉儀目前在3D檢測(cè)領(lǐng)域是精度高的測(cè)量?jī)x器之一，在同等系統(tǒng)放大倍率下檢測(cè)精度和重復(fù)精度都高于共聚焦顯微鏡和聚焦成像顯微鏡，在一些納米級(jí)和亞納米級(jí)的超精密加工領(lǐng)域，除了白光干涉儀，其它的儀器無(wú)法達(dá)到其測(cè)量精度要求。儀器的測(cè)量原理：本儀器是利用光學(xué)干涉原理研制開(kāi)發(fā)的超精密表面輪廓測(cè)量?jī)x器。照明光束經(jīng)半反半透分光鏡分威兩束光，分別投射到樣品表面和參考鏡表面。從兩個(gè)表面反射的兩束光再次通過(guò)分光鏡后合成一束光，并由成像系統(tǒng)在CCD相機(jī)感光面形成兩個(gè)疊加的像。由于兩束光相互干涉，在C...
接觸式光刻機(jī)是一種用于信息科學(xué)與系統(tǒng)科學(xué)、能源科學(xué)技術(shù)、電子與通信技術(shù)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器，于2016年7月12日啟用。接觸式光刻機(jī)的使用原理：其實(shí)在我國(guó)對(duì)于接觸式光刻機(jī)，曝光時(shí)掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優(yōu)點(diǎn)是可以使用價(jià)格較低的設(shè)備制造出較小的特征尺寸。我們也許不知道接觸式光刻和深亞微米光源已經(jīng)達(dá)到了小于0.1gm的特征尺寸，常用的光源分辨率為0.5gm左右。該設(shè)備的掩模版包括了要復(fù)制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠，并被安裝到一個(gè)由手動(dòng)控制的臺(tái)子上，臺(tái)子...
電容位移傳感器的原理是利用力學(xué)變化使電容器中其中的一個(gè)參數(shù)發(fā)生變化的方法實(shí)現(xiàn)信號(hào)的變化的。該傳感器由目標(biāo)和探針兩個(gè)傳感板組成電容器。當(dāng)電容器之間的距離發(fā)生改變時(shí)，電容器的電容量就會(huì)發(fā)生改變，使用適當(dāng)?shù)目刂破骶蜁?huì)測(cè)出兩個(gè)傳感板距離的變化。測(cè)量原理特性：采用電容式測(cè)量原理，需要潔凈和干燥的環(huán)境，否則傳感器探頭和被測(cè)物體之間的物質(zhì)介電常數(shù)的變化會(huì)影響測(cè)量結(jié)果。我們也推薦任何時(shí)候，都盡量縮短探頭到控制器之間的電纜長(zhǎng)度。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備，配備前置放大器，電纜長(zhǎng)度設(shè)定為1m。如果配備外置放大...