薄膜厚度測量是指通過使用膜厚測量儀器或設(shè)備來準確測量薄膜、涂層或其他薄層材料的厚度。薄膜厚度的測量對于許多行業(yè)和領(lǐng)域都非常重要，例如電子、光學(xué)、材料科學(xué)、化工等。
常見的方法和工具用于測量薄膜厚度包括：
1、光學(xué)干涉法：通過光學(xué)干涉原理測量薄膜的厚度，利用干涉儀器如白光干涉儀或激光干涉儀進行測量。
2、X射線熒光測厚儀：利用X射線照射樣品表面，通過測量熒光光譜來確定薄膜厚度。
3、聲表面波測量儀：利用超聲波在薄膜表面?zhèn)鞑サ奶匦詠頊y量薄膜厚度。
4、拉伸法：通過在不同拉伸條件下測量薄膜的拉伸性能來間接推斷薄膜厚度。
5、柱形法：利用柱形物的體積變化來測量薄膜的厚度。
在進行薄膜厚度測量時，需要選擇適合的測量方法和儀器，按照操作說明進行準確的測量，確保結(jié)果的準確性和可靠性。同時，在實際應(yīng)用中，還需要考慮樣品的特性、表面處理情況以及測量精度要求等因素。
Thetametrisis薄膜厚度測量儀 FR-Scanner 是一種緊湊的臺式工具，適用于自動測繪晶圓片上的涂層厚度。FR-Scanner 可以快速和準確測量薄膜特性：厚度，折射率，均勻性，顏色等。真空吸盤可應(yīng)用于任何直徑或其他形狀的樣片。
1、應(yīng)用
半導(dǎo)體生產(chǎn)制造：(光刻膠, 電介質(zhì),光子多層結(jié)構(gòu)， poly-Si, Si, DLC, )
光伏產(chǎn)業(yè)
液晶顯示
光學(xué)薄膜
聚合物
微機電系統(tǒng)和微光機電系統(tǒng)
基底：透明 (玻璃, 石英, 等等) 和半透明
Thetametrisis薄膜厚度測量儀的光學(xué)模塊可容納所有光學(xué)部件：分光計、復(fù)合光源(壽命10000小時)、高精度反射探頭。因此，在準確性、重現(xiàn)性和長期穩(wěn)定性方面保證了優(yōu)異的性能。
Thetametrisis薄膜厚度測量儀 FR-Scanner 通過高速旋轉(zhuǎn)平臺和光學(xué)探頭直線移動掃描晶圓片(極坐標掃描)。通過這種方法，可以在很短的時間內(nèi)記錄具有高重復(fù)性的精確反射率數(shù)據(jù)，這使得FR-Scanner 成為測繪晶圓涂層或其他基片涂層的理想工具。
2、特征
單點分析(不需要預(yù)估值)
動態(tài)測量
包括光學(xué)參數(shù)(n和k，顏色) o 為演示保存視頻
600 多種的預(yù)存材料
離線分析
免費軟件更新
3、性能參數(shù)
4、測量原理
白光反射光譜(WLRS)是測量從單層薄膜或多層堆疊結(jié)構(gòu)的一個波長范圍內(nèi)光的反射量，入射光垂直于樣品表面，由于界面干涉產(chǎn)生的反射光譜被用來計算確定(透明或部分透明或*反射基板上)的薄膜的厚度、光學(xué)常數(shù)(n和k)等。
1、樣片平臺可容納任意形狀的樣品。450mm平臺也可根據(jù)要求提供。真正的X-Y掃描也可能通過定制配置；
2、硅基板上的單層SiO2薄膜的厚度值。對于其他薄膜/基質(zhì)，這些值可能略有不同；
3、15天平均值的標準差平均值。樣品：硅晶片上1微米的二氧化硅；
4、2 X (超過15天的日平均值的標準偏差)。樣品：硅晶片上1微米的二氧化硅；
5、測量結(jié)果與校準的光譜橢偏儀比較；
6、根據(jù)材料；
7、測量以8 "晶圓為基準。如有特殊要求，掃描速度可超過1000次測量/每分鐘；
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產(chǎn)品型號：FR-Scanner