光刻膠的各種物性參數中，粘度值也是一個非常重要的參數，它對指導光刻膠的涂膠至為重要，但是我們在閱讀光刻膠的說明文檔中往往會發現不同廠家使用不同的粘度單位， 比如cP，mPa·S，cst， 這對我們用戶來說對比不同廠家的光刻膠的粘度性質造成了困擾。

光刻膠是一種對光敏感的混合液體，是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料，屬于半導體八大核心材料之一，是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導體材料。

一、EVG101光刻膠測量簡介

研發和小規模生產中的單晶圓光刻膠加工。

EVG101光刻膠處理系統在單室設計上可以滿足研發工作，與EVG的自動化系統*兼容。EVG101支持zui大300 mm的晶圓，可配置為旋涂或噴涂和顯影。使用EVG先進的OmniSpray涂層技術，在3D結構晶圓上實現光刻膠或聚合物的共形層，用于互連技術。這確保了高粘度光致光刻膠或聚合物的低材料消耗，同時改善了均勻性并防止了擴散。

二、EVG101光刻膠測量技術參數：

晶圓尺寸：高達300mm（12寸）

支持模式：旋涂/ OmniSpray®/生長

晶圓支撐模式：單臂/雙EE/邊緣/翻動

分配模式：

- 各種分配泵，可覆蓋高達52000cP的各種粘度

- 恒壓分配系統

- EBR / BSR /預濕/碗洗/液體灌注

三、特征：

晶圓尺寸可達300 mm

自動旋涂或噴涂或使用手動晶圓裝載/卸載進行顯影

利用從研究到生產的快速簡便的過程轉換

成熟的模塊化設計和標準化軟件

注射器分配系統，用于利用小的光刻膠體積，包括高粘度光刻膠

占地面積小，同時保持高水平的個人和過程安全性

多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）

選項：

- 采用OmniSpray®涂層技術均勻涂覆晶圓的高表面形貌

- 用于后續鍵合工藝的蠟和環氧樹脂涂層

- 旋涂玻璃（SOG）涂層